‌氫氣原位質量法‌在半導體技術領域的應用

氫氣原位質量法‌是一種利用化學反應去除特定幹擾的分析方法，特別適用於(yu) ICP-MS（電感耦合等離子體(ti) 質譜儀(yi) ）分析中的複雜樣品。這種方法通過在反應池中引入氫氣（H2）和氧氣（O2）等反應氣，使得分析物或幹擾物在反應池中與(yu) 反應氣發生反應，生成一個(ge) 新的質量數的產(chan) 物離子。通過這種質量轉移或原位質量的方法，可以避開原質量數的幹擾，從(cong) 而提高分析的準確性和靈敏度。例如，在ICP-MS分析中，通過這種方法可以解決(jue) 一些分析難題，如去除幹擾元素對目標元素的幹擾，從(cong) 而獲得更準確的元素分析結果‌。

‌氫氣原位質量法‌的應用不隻限於(yu) ICP-MS分析，還在其他領域中發揮著重要作用。例如，在提高氮化鋁晶體(ti) 質量的方法中，氫氣原位刻蝕技術被用來在MOCVD設備中進行高溫原位刻蝕，通過形成密集的孔洞層並促進位錯的湮滅，提高外延層的晶體(ti) 質量。這種方法通過高溫原位刻蝕技術，在第1次高溫外延層和第二次高溫外延層之間形成密集的孔洞層，通過提升側(ce) 向生長速率使孔洞逐漸合並，降低外延層中的位錯密度，從(cong) 而提高晶體(ti) 質量‌。

半導體(ti) 技術領域

在半導體(ti) 行業(ye) 中，每個(ge) 工藝流程中引入的雜質汙染，都有可能造成半導體(ti) 器件缺陷。半導體(ti) 器件的整個(ge) 製造過程中會(hui) 用到多種化學品，例如過氧化氫（H2O2）、鹽酸（HCl）、硫酸（H2SO4）等，進行清洗和蝕刻。

過氧化氫 ：作為(wei) 強氧化劑，可用於(yu) 清洗矽片、去除光刻

硝酸和氫氟酸混合物，混合物用於(yu) 蝕刻單晶矽和多晶矽硫酸與(yu) 過氧化氫的混合物可用於(yu) 晶圓加工過程的清洗鹽酸用於(yu) 去除矽片表麵的有機和金屬殘留等雜質

隨著半導體(ti) 器件性能的持續提高，對雜質的控製要求也更加嚴(yan) 格，所用化學品中的痕量的雜質會(hui) 影響最終產(chan) 品的性能和產(chan) 量。國際半導體(ti) 設備與(yu) 材料產(chan) 業(ye) 協會(hui) (SEMI) 發布了有關(guan) 高純試劑性能指標的標準, 規定絕大多數雜質元素的含量不超過 10 ppt。

所以，製造半導體(ti) 器件時，需要對清洗和蝕刻矽片過程中使用的化學品中的痕量汙染物進行常規監測，必須盡可能地將痕量汙染控製在minimum濃度，ICP-MS 就是普遍采用的一種監測工具。